Жесткий диск SSD M.2 250Gb Samsung 970 EVO Plus, 3500/2300MBs, 550000 IOPS, TLC 3D V-NAND, PCI-E3.0x4 (MZ-V7S250BW)

Бренд Samsung
Емкость 250 ГБ
Тип флэш-памяти TLC 3D V-NAND
Контроллер Samsung Phoenix
Назначение для настольного компьютера, для ноутбука
Форм-фактор M.2 2280
Интерфейс SATA 6Gb/s
Cтандарт SSD M.2
Тип разъема M.2 2280, B&M
Тип PCI-E PCI-E 3.0 x4
Макс. скорость интерфейса 3400 МБ/с
Объем буфера 512 МБ
Скорость чтения 3500 МБ/с
Скорость записи 2300 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) 550000 IOPS
Ударостойкость при работе 1500 G
Ударостойкость при хранении 1500 G
Время наработки на отказ 1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW) 150 ТБ
Поддержка технологий NVMe, TRIM, Шифрование данных, поддержка секторов размером 4 КБ
Макс. рабочая температура 70 °C
Потребляемая мощность 8 Вт
Высота 2.38 мм
Длина 80 мм
Ширина 22 мм
Вес 79 г
Дополнительная информация 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена 64-слойной в линейке 970 EVO,благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO,ресурс записи: 150ТБ
Гарантийный срок 1 г.
Основные характеристики Samsung
Контроллер Samsung Phoenix
Подключение SATA 6Gb/s
Тип разъема M.2 2280, B&M
Тип PCI-E PCI-E 3.0 x4
Макс. скорость интерфейса 3400 МБ/с
Параметры накопителя 512 МБ
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) 550000 IOPS
Ударостойкость при работе 1500 G
Ударостойкость при хранении 1500 G
Суммарное число записываемых байтов (TBW) 150 ТБ
Поддержка технологий NVMe, TRIM, Шифрование данных, поддержка секторов размером 4 КБ
Макс. рабочая температура 70 °C
Потребляемая мощность 8 Вт
Высота 2.38 мм
Длина 80 мм
Ширина 22 мм
Вес 79 г
Дополнительная информация 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена 64-слойной в линейке 970 EVO,благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO,ресурс записи: 150ТБ
Гарантийный срок 1 г.